سامسونگ برنامه‌ریزی برای افزایش تولید تراشه‌های HBM4 در سال ۲۰۲۶ را آغاز کرده است

با توجه به افزایش تقاضا برای حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM)، سامسونگ الکترونیکس بیش از ۵۰ درصد از ظرفیت تولید ۴ نانومتری خود را به ساخت تراشه‌های حافظه HBM4 اختصاص داده است. این اطلاعات از یک گزارش معتبر به دست آمده است.

طبق گزارش‌ها، خطوط تولید ۴ نانومتری سامسونگ در حال حاضر با ظرفیت کامل فعالیت می‌کنند و حدود ۵۰ تا ۶۰ درصد از تولید این خطوط به دای پایه تراشه‌های HBM4 تعلق دارد. سامسونگ به عنوان یکی از بازیگران اصلی در صنعت نیمه‌رسانا، توانایی طراحی همزمان تراشه‌های DRAM و دای پایه را دارد.

تکامل فناوری تولید حافظه، اهمیت دای پایه در ساختار HBM را افزایش داده است. در حال حاضر، سامسونگ در حال تولید انبوه محصولات مختلف با استفاده از فناوری‌های ۴ تا ۷ نانومتری در تأسیسات Pyeongtaek خود است. ظرفیت تولید این فناوری به ۳۰ هزار ویفر در ماه می‌رسد که ۱۵ هزار ویفر آن به تولید دای پایه HBM4 اختصاص یافته است.

گزارش‌های قبلی همچنین نشان می‌دهد که سامسونگ در حال بررسی استفاده از فناوری ۲ نانومتری برای تولید دای پایه HBM است. این حرکت به سمت استفاده از فرایندهای تولید تراشه‌های منطقی برای ساخت دای‌های پایه HBM از محصولات HBM3 و HBM3E آغاز شده است. در حالی که سامسونگ به فناوری‌های داخلی خود متکی است، رقبای آن همچون SK hynix و مایکرون به روش‌های متفاوتی برای تولید این بخش روی آورده‌اند.